Sidebar

Data: 2018-12-14 14:30
Vieta: NFTMC D401 aud. (Saulėtekio al. 3, Vilnius)

 

TSMC nuotraukosKęstutis Ikamas gins disertaciją

„Plačiajuosčių, tranzistoriniu, THz detektorių modeliavimas ir taikymas veikai su impulsiniais ir nuolatinės veikos šaltiniais”

technologijos mokslų srities, medžiagos inžinerijos mokslo krypties daktaro laipsniui gauti.

Disertacija rengta 2014-2018 metais Vilniaus universiteto Fizikos fakulteto Taikomosios elektrodinamikos ir telekomunikacijų institute.

Mokslinis vadovas – dr. Alvydas Lisauskas (Vilniaus universitetas, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija).

 

Disertacijos gynimo tarybos sudėtis:

prof. dr. Vincas Tamošiūnas – tarybos pirmininkas (Vilniaus universitetas, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – 08T);

prof. dr. Robertas Grigalaitis (Vilniaus universitetas, fiziniai mokslai, fizika – 02P);

prof. dr. Artūras Jukna (Vilniaus Gedimino technikos universitetas, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – 08T);

dr. Dmitry Lyubchenko (KTH karališkasis technologijų institutas, Švedija, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – 08T);

dr. Šarūnas Meškinis (Kauno technologijos universitetas, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – 08T).

 

Disertacijos anotacija:

Ši disertacija skirta plačiajuosčių tranzistorinių THz detektorių (TeraFET) kūrimo ypatumams. Nagrinėti fizikiniai įrenginių veikimo principai ir inžineriniai sprendimai leido sukurti naujus tiesinius (atsakas tiesiogiai proporcingas spinduliuotės galiai) detektorius, kurie efektyviai veikia plačiame, daugiau nei tris oktavas (nuo 0,25~THz iki 2,2~THz) apimančiame dažnių intervale. Gauti eksperimentuose jautriai nenusileidžia geriausiems šiai dienai plačiajuosčiams tranzistoriniams detektoriams ir nedaug nusileidžia atrankiesiems THz tranzistoriniams detektoriams. Darbe taip pat nagrinėjami taikomieji sukurtų detektorių aspektai: ištirtos impulsinių ir nuolatinės veikos šaltinių skleidžiamos THz spinduliuotės detekcijos su TeraFET galimybės. Pirmą kartą tiesiogiai palygintas tranzistorinio THz detektoriaus ir komercinių tiesinių THz detektorių -- Golėjaus narvelio ir bolometro, veikos efektyvumas.
Si ir AlGaN/GaN tranzistorinių detektorių lyginimo netiesiškumų tyrimais įrodyta, kad netiesinė, aukštesnio už vieną laipsnio, atsako priklausomybė nuo THz spinduliuotės galios ¬- universalus, tranzistoriniams detektoriams būdingas reiškinys. Pirmą kartą atlikti su Si tranzistoriniu detektoriumi netiesinės interferometrinės autokoreliacijos tyrimai. Parodyta, kad detektoriaus lyginimo netiesiškumas gali būti panaudotas laikinėms THz impulsų charakteristikoms nustatyti ir stebėti.

Siekdami užtikrinti jums teikiamų paslaugų kokybę, Universiteto tinklalapiuose naudojame slapukus. Tęsdami naršymą jūs sutinkate su Vilniaus universiteto slapukų politika. Daugiau informacijos