Sidebar

 

09.3.3-LMT-K-712-01-0076

III-grupės nitridų MOCVD auginimas Van der Valso epitaksijos metodu naudojant grafeną (GRAFoGaNas)

Vadovas dr. T. Malinauskas

Projekto vykdytojas – Vilniaus universitetas, Fotonikos ir nanotechnologijų institutas

Projekto vadovas – Dr. Tadas Malinauskas

Projekto pavadinimas – „III-grupės nitridų MOCVD auginimas Van der Valso epitaksijos metodu naudojant grafeną (GRAFoGaNas)“

Projektas finansuojamas iš Europos socialinio fondo lėšų lėšų pagal 2014–2020 m. ES fondų investicijų veiksmų programos 9 prioriteto „Visuomenės švietimas ir žmogiškųjų išteklių potencialo didinimas“ priemonės Nr. 09.3.3-LMT-K-712 „Mokslininkų, kitų tyrėjų, studentų mokslinės kompetencijos ugdymas per praktinę mokslinę veiklą“ veiklos „Aukšto lygio tyrėjų grupių vykdomi moksliniai tyrimai“.

Projekto įgyvendinimo pradžia – 2018 m. sausio 8 d.; pabaiga – 2022 sausio 7 d.

Santrauka:

Projekto tikslas - tobulinti mokslininkų kvalifikaciją tiriant III-grupės nitridinių optoelektroninikai skirtų darinių ir nanodarinių auginimo ant grafeno technologiją Projektas spręs pagrindinį uždavinį - naudojant visapusiškus charakterizavimo metodus ištirti III-grupės nitridų MOCVD augimo ant grafeno ypatumus. Projekto idėja ir novatoriškumas remiasi naujo metodo - van der Valso (vdW) epitaksijos panaudojant grafeną pritaikymu III-grupės nitridų auginimui. VdW epitaksijos su grafenu panaudojimas leis užaugintų epitaksinių sluoksnių nukėlimą. Tai įgalins daugkartinį brangių homoepitaksinių GaN tūrinių padėklų panaudojimą, o homoepitaksinis auginimas ant tūrinio GaN leis pasiekti aukštesnę GaN kristalinę kokybę, kas sąlygos optoelektrinių prietaisų nitridų pagrindų efektyvumo pagerėjimą. Projekte bus vykdomi MOCVD vdW auginimai panaudojant grafeną ant skirtingų padėklų - GaN, safyro, silicio karbido, silicio. Bus vykdomas visapusiškas užaugintų epitaksinių sluoksnių, nanodarinių ir optoelektrinių prietaisų struktūrų kristalinių, optinių ir elektrinių savybių tyrimas siekiant suprasti kristalų augimo fiziką ir optimizuoti auginimo technologiją. Planuojami rezultatai: tyrėjų kvalifikacijos pakėlimas, naujos technologijos išvystymas, mokslinių rezultatų viešinimas tarptautiniuose periodiniuose mokslo leidiniuose bei pranešimuose tarptautinėse mokslinėse konferencijose.

Projekto tikslas: Tobulinti mokslininkų kvalifikaciją tiriant III-grupės nitridinių optoelektroninikai skirtų darinių ir nanodarinių auginimo ant grafeno technologiją.

Projekto uždaviniai:

Naudojant visapusiškus charakterizavimo metodus ištirti III grupės nitridų MOCVD augimo ant grafeno ypatumus.
Rezultatas:

8 mokslinių tyrimų publikacijos.

Projekto vykdytojai:

Justinas Baužys (Projekto koordinatorius), Danutė Mankevičienė (Projekto finansininkė, Projektą vykdančio personalo sudėtį ir pareigas:

Arūnas Kadys, Tomas Grinys, Patrik Ščajev, Saulius Nargėlas, Jūras Mickevičius, Viktorija Nargelienė, Jonas Jurkevičius, Sandra Stanionytė, Martynas Skapas, Mantas Dmukauskas, Marekas Kolenda, Kazimieras Badokas, Tomas Drunga.

Daugiau informacijos suteiks: Justinas Baužys, mob.tel. +37060034126

Siekdami užtikrinti jums teikiamų paslaugų kokybę, Universiteto tinklalapiuose naudojame slapukus. Tęsdami naršymą jūs sutinkate su Vilniaus universiteto slapukų politika. Daugiau informacijos