Apie
FRT grupės veiklos kryptys
- rekombinacijos procesų tyrimai ir parametrų įvertinimas šiuolaikinėse elektronikos medžiagose bei prietaisuose;
- naujos matavimų technologijos;
- medžiagotyros bei jonizuojančiųjų spinduliuočių registravimo įrenginių projektavimas ir kūrimas;
- defektų inžinerijos technologijos ir elektronikos prietaisų gamybos radiacinės technologijos;
- defektų spektroskopija ir spektroskopijos metodų, pagrįstų fotoelektriniais reiškiniais, kūrimas;
- radiacijai atsparių medžiagų paieška ir radiacijos sensorių kūrimas;
- nuotolinių matavimų technologijos ir įranga jonizuojančioms spinduliuotėms detektuoti;
- rekombinacijos ir krūvio pernašos procesų modeliavimas;
- prietaisų darinių modeliavimas;
- defektų ir jų energetinio spektro modeliavimas.
Tiriamos medžiagos ir dariniai
- įvairių technologijų puslaidininkiai: Si, Ge, Si-Ge, GaAs, CdSe, CdS, ZnSe, GaN, deimantas, ir kt;
- organinės ir polimerinės medžiagos: alaninas, PEN ir kt.;
- prietaisų ir detektorių dariniai: saulės elementai, šviestukai, galios PIN diodai ir tiristoriai, CERN dalelių detektoriai
Tyrimų metodai ir įranga
- mikrobangų sugerties ir atspindžio kinetikų metodai (MW-PC);
- infraraudonosios sugerties relaksacijos kinetikų metodai (IR-PC);
- talpinė ir srovės giliųjų lygmenų spektroskopija (DLTS);
- elektronų sukinių spektroskopija (EPR);
- vibracinių modų infraraudonoji spektroskopija (IRS);
- harmoninė ir impulsinė talpos spektroskopija (LRC/BELIV);
- fotojonizacijos impulsinė spektroskopija (PPIS);
- foto- ir protonais indukuotos liuminescencijos kinetikų ir spektro tyrimo metodai (PL,TR-PL).
Matavimų technologijos
- radiacinių defektų evoliucijos in situ analizės technologija;
- defektų pasiskirstymo planarinės ir skersinės žvalgos technologija;
- impulsinė šiluminės, fotojonizacinės ir talpinės spektroskopijos technologija;
- injektuoto krūvio dreifo kinetikų profiliavimo technologija;
- liuminescencijos ir fotolaidumo evoliucijos apšvitinant įvairiomis aukštųjų energijų spinduliuotėmis in situ analizės technologija.
Tyrėjai
|
Profesorius Eugenijus Gaubas Vyriausiasis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B230 Tel.: +370 5 2234480 |
Profesorius Juozas V. Vaitkus Vyriausiasis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B233
|
Profesorius Vaidotas Kažukauskas Vyriausiasis mokslo darbuotojas
|
|
Dr. Vidas Kalesinskas Vyriausiasis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B207 Tel.: +370 69805541 |
Dr. Tomas Čeponis Vyresnysis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B229 Tel.: +370 5 2234486 |
Dr. Algirdas Mekys Vyresnysis mokslo darbuotojas
|
 Dr. Ernestas Žąsinas Mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. A202
|
 Dr. Vytautas Rumbauskas Mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B204 Tel.: +370 5 2234487 |
 Dr. Jevgenij Pavlov Mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B204 Tel.: +370 5 2234487 |
 Laimonas Deveikis Jaunesnysis mokslo darbuotojas Saulėtekio al. 3, kab. B204 Tel.: +370 5 2234487 |
Laboratorijos
EPR ir Optinės mikroskopijos laboratorija B206
Įranga:
-
EPR dozimetrijos skeneris BRUKER-E-SCAN
-
Dozimetrija alanine dozimetrais 1Gy -200 kGy
Defektų puslaidininkiuose mikrobangės spektroskopijos laboratorija B207
Radiacinių defektų evoliucijos in situ tyrimų įrenginys VUTEG-3:
-
apšvitų hadronais įtėkio matavimams 1010-1016 cm-2 intervale;
-
radiacinių defektų evoliucijos tyrimams;
-
gali būti komplektuojams su vakuumine apšvitų kamera;
-
spalatoriaus neutronų dozimetrijai.
Skeneris VUTEG-04-CERN:
-
krūvininkų gyvavimo trukmės Si planarinis pasiskirstymas 120x120 mm2 plote;
-
krūvininkų gyvavimo trukmės Si plokštelių storyje pasiskirstymas 2 µm tikslumu;
-
4°– 25° C stabilizuotos temperatūros intervale;
-
krūvininkų prilipimo sando analizė keičiant cw IR pašvietimo intensyvumą; radiacinių defektų pasiskirtymo vaizdinimas.
Dozimetras VUTEG-5-AIDA, įdiegtas ir instaliuotas CERN
-
apšvitų hadronais įtėkio matavimams 1010-1016 cm-2 intervale;
-
radiacinių defektų evoliucijos tyrimams;
-
krūvininkų prilipimo sando analizė keičiant cw IR pašvietimo intensyvumą;
-
dozės pasiskirstymo Si zonduose tyrimams.
Impulsinis šiluminės ir foto-jonizacinės spektroskopijos įrenginys VUTEG-6:
-
nesąlytinei prilipimo centrų spektroskopijai;
-
radiacinių defektų evoliucijos tyrimams;
-
krūvininkų prilipimo sando analizė keičiant cw IR pašvietimo intensyvumą.
Infraraudonosios spektroskopijos laboratorija B208
Injektuoto krūvio dreifo kinetikų profiliavimo stendas
-
injektuoto krūvio relaksacijos sandų analizei;
-
dreifo srovių ir trukmių matavimams;
-
paviršiaus skenavimo režime;
-
briaunos skenavimo režime;
-
diskretiškai keičiami sužadinimo bangos ilgiai 1062 –354 nm diapazone.
Laike išskirtosios liuminescencijos ir mikrobangomis zonduojamo fotolaidumo kinetikų sinchroninio skenavimo stendas
Giliųjų lygmenų spektroskopijos laboratorija B208
Impulsinis talpos kinetikų (BELIV) profiliavimo stendas:
-
sandūrų barjero parametrų temperatūrinių ir spektrinių kitimų Si,Ge, GaAs, GaN, Cu-CdS ir foto-elektros puslaidininkiniuose prietaisuose;
-
BELIV kinetikų žvalga darinių briaunoje;
-
diskretiškai keičiami sužadinimo bangos ilgiai 1062 –354 nm diapazone;
-
90-350 K temperatūrų intervalas.
Giliųjų lygmenų spektrometras HERA- DLTS System FT 1030:
-
C-I-O-DLTS spektrų registravimas;
-
10-400 K temperatūrų intervalas
-
1062 ir 351 nm impulsiniai lazeriai;
-
įvairūs spektrų registravimo/analizės režimai.
Projektai
Vykdomi:
Jonizuojančiosios spinduliuotės nesąlytinio ir nuotolinio detektavimo technologijų centras
Numeris: 01.2.2-CPVA-K-703-02-0002
Vadovas: E. Gaubas
Trukmė: 2018 - 2021
Finansavimas: 982 900 €
Agentūra: CPVA
Įvykdyti:
Jonizuojančių spinduliuočių erdvinės ir spektrinės skyros MOCVD GaN sensorių formavimo technologijos kūrimas
Numeris: LAT 01/2016
Vadovas: E. Gaubas
Trukmė: 2016 - 2018
Finansavimas: 299 722 €
Agentūra: LMT
Advanced European Infrastructures for Detectors at Accelerators
Numeris: H2020 WP15 654168
Vadovas: J. Vaitkus
Trukmė: 2015 - 2018
Finansavimas: 40 000 €
Agentūra: EUC
Medžiagotyros, nano- ir šviesos technologijų bei aukštojo mokslo studijų šiose proveržio kryptyse infrastruktūros kūrimas (LAMETECH INFRASTRUKTŪRA)
Numeris: VP2-1.1-ŠMM-04-V-02-002
Vadovas: potemės atsakingasis vykdytojas E. Gaubas
Trukmė: 2014 - 2015
Finansavimas: 250 000 €
Agentūra: LMT
Radiaciniai nanoklasteriai Si ir GaN
Numeris: VP1-3.1-ŠMM-07-K-03-010
Vadovas: J. Vaitkus
Trukmė: 2013 - 2015
Finansavimas: 979 000 Lt
Agentūra: LMT
Radiacinių defektų deimanto ir GaN medžiagose in situ ir ex situ evoliucija
Numeris: MIP060/2013
Vadovas: E. Gaubas
Trukmė: 2013 - 2015
Finansavimas: 313 700 Lt
Agentūra: LMT
Advanced European Infrastructures for Detectors at Accelerators
Numeris: FP7-AIDA 262025 WP8.3
Vadovas: atsakingasis vykdytojas E. Gaubas
Trukmė: 2011 - 2014
Finansavimas: 42 000 €
Agentūra: EUC
Publikacijos
2020
E. Gaubas, T. Čeponis, L. Deveikis, V. Kalesinskas, G. Kreiza, T. Malinauskas, J. Pavlov, V. Rumbauskas, A. Mychko, V. Ivanov, “Study of the electrical characteristics of CdZnTe Schottky diodes”, Materials Science in Semiconductor Processing Vol. 105, p. 104705 (1-11), 2020.
J. Pavlov, T. Čeponis, L. Deveikis, V. Rumbauskas, G. Tamulaitis, E. Gaubas, “Modification of characteristics of AlGaN photodiodes by 1.6 MeV proton irradiation”, Journal of Instrumentation, Vol. 15, p. C01026 (1-9), 2020.
T. Heikkinen, J. Pavlov, T. Čeponis, E. Gaubas, M. Zając, F. Tuomisto, “Effect of Mn and Mg dopants on vacancy defect formation in ammonothermal GaN”, Journal of Crystal Growth, Vol. 547, p. 125803 (1-5), 2020.
2019
E. Gaubas, P. Baronas, T. Čeponis, L. Deveikis, D. Dobrovolskas, E. Kuokstis, J. Mickevičius, V. Rumbauskas, M. Bockowski, M. Iwinska, T. Sochacki, Study of spectral and recombination characteristics of HVPE GaN grown on ammono substrates, Mat. Sc. Semicond. Process. 91 (2019) 341–355.
E. Gaubas, T. Čeponis, D. Meškauskaite, J. Mickevičius, J. Pavlov, V. Rumbauskas, R. Grigonis, M. Zajac, R. Kucharski, Pulsed photo-ionization spectroscopy of traps in as-grown and neutron irradiated ammonothermally synthesized GaN, Scientific Reports 9 (2019) 1473.
E. Gaubas, T. Čeponis, L. Deveikis, D. Dobrovolskas, V. Rumbauskas, M. Viliūnas, Room-temperature infrared photoluminescence in GaN doped with various impurities, Optical Materials 94 (2019) 266–271.
T. Ceponis, K. Badokas, L. Deveikis, J. Pavlov, V. Rumbauskas, V. Kovalevskij, S. Stanionyte, G. Tamulaitis, E. Gaubas, Evolution of scintillation and electrical characteristics of AlGaN double-response sensors during proton irradiation, Sensors 19 (2019) 3388. doi:10.3390/s19153388
E. Gaubas, T. Ceponis, L. Deveikis, D. Dobrovolskas, V. Kalesinskas, J. Pavlov, V. Rumbauskas, and A. Mychko, Spectroscopy of defects in CdZnTe structures, Semicond. Sci. Technol. 34 (2019) 115012
L.F. Makarenko, S.B. Lastovski, H.S. Yakushevich, E. Gaubas, J. Pavlov, V.V. Kozlovski, M. Moll, I. Pintilie, Formation of a bistable interstitial complex in irradiated p-type silicon, Phys. Status Solidi A-Appl. Mat. 216 (2019) 1900354.
D. Dobrovolskas, G. Tamulaitis, E. Gaubas, M. Korjik, GAGG:Ce scintillation fibers for high energy physics applications, J. Instrum. 14 (2019) P06031.
E. Gaubas, T. Ceponis, L. Deveikis, V. Kalesinskas, G. Kreiza, T. Malinauskas, J. Pavlov, V. Rumbauskas, A. Mychko, V. Ivanov, Study of the electrical characteristics of CdZnTe Schottky diodes, Mat. Sc. Semicond. Process. 105 (2020) 104705.
J. Pavlov, T. Ceponis, T. Heikkinen, V. Rumbauskas, L. Deveikis, J. Raisanen, G. Tamulaitis, F. Tuomisto, E. Gaubas, Spectroscopy of defects in neutron irradiated ammono-thermal GaN by combining photo-ionization, photoluminescence and positron annihilation techniques, Lith. Journ. Phys., 59, (2019). 179–191.
J. Pavlov, T. Ceponis, L. Deveikis, V. Rumbauskas, G. Tamulaitis, and E. Gaubas, Modification of characteristics of AlGaN photodiodes by 1.6 MeV proton irradiation, JINST, 074P (2019) 1019.
V. Kazukauskas, G.L.Myronchuk,.; O.V.Parasyuk, et al. Photoconductivity of Tl1-xIn1-xSnxSe2 single crystals at low temperatures, Proceedings of the romanian academy series a-mathematics physics technical sciences information science, 20 (2019) 243 -249.
2018
E.Gaubas, T.Ceponis, L.Deveikis, D.Meskauskaite, J.Pavlov, V.Rumbauskas, J.Vaitkus, M.Moll, F.Ravotti, “Anneal induced transformations of defects in hadron irradiated Si wafers and Schottky diodes”, Materials Science in Semiconductor Processing 75, 157–165 (2018).
E. Gaubas, T. Ceponis, J. Mickevicius, J. Pavlov, V. Rumbauskas, M. Velicka, E. Simoen, and M. Zhao, “Pulsed photo-ionization spectroscopy in carbon doped MOCVD GaN epi-layers on Si”, Semicond. Sci. Technol. 33, 075015 (2018).
E. Gaubas, T. Čeponis, D. Dobrovolskas, J. Mickevičius J. Pavlov, V. Rumbauskas, J.V. Vaitkus, N. Alimov, and S. Otajonov, “Study of polycrystalline CdTe films by contact and contactless pulsed photo-ionization spectroscopy”, Thin Solid Films 660, 231–235 (2018).
2017
E. Gaubas, T. Ceponis, L. Deveikis, D. Meskauskaite, S. Miasojedovas, J. Mickevicius, J. Pavlov, K. Pukas, J. Vaitkus, M. Velicka, M. Zajac, and R. Kucharski, “Study of neutron irradiated structures of ammonothermal GaN”, J. Phys. D: Appl. Phys. 50, 135102 (2017).
E. Gaubas, T. Ceponis, D. Meskauskas, J. Pavlov, A. Zukauskas, V. Kovalevskij,V. Remeikis, “In situ characterization of radiation sensors based on GaN LED structure by pulsed capacitance technique and luminescence spectroscopy”, Sens. & Act. A 267, 194–199 (2017).
E. Gaubas, T. Ceponis, D. Dobrovolskas, T. Malinauskas,D. Meskauskaite, S. Miasojedovas, J. Mickevicius, J. Pavlov,V. Rumbauskas, E. Simoen, and M. Zhao, “Study of recombination characteristics in MOCVD grown GaN epi-layers on Si”, Semicond. Sci. Technol. 32, 125014 (2017).
2016
E. Gaubas, T. Ceponis, D. Meskauskaite, R. Grigonis, and V. Sirutkaitis, “Spectroscopy of defects in HPHT and CVD diamond by ESR and pulsed photo-ionization measurements”, J. Instrum. 11, C01017 (2016).
E. Gaubas, T. Ceponis, J.V. Vaitkus, V. Fadeyev, S. Ely, Z. Galloway, H.F.-W. Sadrozinski, M. Christophersen, B.F. Phlips, I. Gorelov, M. Hoeferkamp, J. Metcalfe, and S. Seidel, “Study of surface recombination on cleaved and passivated edges of Si detectors”, Semicond. Sci. Technol. 31, 035003 (2016).
E. Gaubas, T. Ceponis, D. Meskauskaite, and E. Simoen, “Comparative study of current transients in HPHT and CVD diamond capacitor-sensors”, ECS J. Solid State Sci. Technol. 5 (2016).
E. Gaubas, E. Simoen, and J. Vanhellemont, “Review-Carrier lifetime spectroscopy for defect characterisation in semiconductor materials and devices”, ECS J. Solid State Sci. Technol. 5, P3108-P3137 (2016).
E. Gaubas, T. Ceponis, E. Kuokstis, D. Meskauskaite, J. Pavlov, and I. Reklaitis, “Study of charge carrier transport in GaN sensors”, Materials 9, 293 (2016).
V. Rumbauskas, D. Meskauskaite, T. Ceponis, E. Gaubas, “Anneal induced transforms of radiation defects in heavily electron irradiated Si diodes”, J. Instrum. 11, P09004 (2016).
2015
E.Gaubas, T. Ceponis, and J. Pavlov, “Pulsed current signals in capacitor type particle detectors”, JINST 10, C01006 (2015).
E. Gaubas, T.Ceponis, V.Kalesinskas, J.Pavlov, J.Vysniauskas, “Simulations of operation dynamics of different type GaN particle sensors”, Sensors 15(3), 5429- 5473 (2015).
E. Gaubas, T.Ceponis, D.Meskauskaite, N.Kazuchits, “Profiling of current transients in capacitor type diamond sensors”, Sensors 15(6), 13424-13458 (2015).